TFS200-106 ALD原子層沉積
技術參數:
原子層淀積,功率4kW,載氣:N2;生長精度:0.1nm,反應溫度:25~500C,樣品尺寸:20-200mm,生長方式:熱沉積/等離子體生長;熱源2個,溫度25~300C;冷源3個
主要功能及應用范圍:
制備氧化物,如氧化鉿、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭等,制備氮化物,如氮化鈦、氮化鉭等
微納電子學、納米材料及相關器件等領域,可作為集成電路中MIM電容器涂層,防反射包覆層,多層結構光學電介質,有機發光顯示器反濕涂層以及應用在太陽能電池和MEMS微機電系統等領域。
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